[포쓰저널=신동혁 기자] 조 바이든 미국 대통령이 2박 3일간의 방한 첫 일정으로 삼성전자 평택캠퍼스를 방문한다. 

바이든 대통령은 지난해 미국에서 열린 한·미 정상회담 당시 미국 텍사스주에 공장을 짓기로 한 삼성에 특별히 감사를 표한 바 있다.

이번 일정에는 퀄컴의 크리스티아노 아몬 최고경영자(CEO)도 함께한다. 퀄컴이 삼성전자의 주요 고객이자 경쟁자인 만큼, 바이든 대통령의 이번 일정은 한·미 반도체 동맹을 위한 상징적인 자리가 될 것이라는 분석이다.

20일 업계에 따르면 조 바이든 미국 대통령은 이날 오후 5시쯤 전용기를 타고 오산 미군기지에 도착한다. 도착 직후 경기 평택 삼성전자 반도체 공장을 찾아 윤석열 대통령과 함께 방한 공식 일정을 시작한다. 

양국 정상은 삼성전자가 준비한 3나노 웨이퍼에 사인한 후 평택 반도체 공정 라인을 투어한다. 함께 경제안보 동맹 비전을 발표, 약 1시간의 일정을 마무리할 예정이다. 행사에는 이재용 삼성전자 부회장, 마크 리퍼트 삼성전자 북미법인 부사장, 크리스티아노 아몬 퀄컴 CE가 동행한다.

이재용 부회장은 직접 3나노미터(nm·10억분의 1m) 공정을 비롯한 차세대 반도체 기술을 양국 정상에게 소개할 예정인 것으로 알려졌다.  

삼성전자 평택캠퍼스는 축구장 400개를 합친 규모의 세계 최대 반도체 생산기지다. 차세대 메모리(D램·낸드)와 초미세 파운드리 제품을 생산하는 첨단 복합 라인으로 구성돼 있다. 현재 평택 1라인(P1)과 2라인(P2)은 가동 중이며, 3라인(P3)은 건설 공사가 진행 중이다.

삼성전자는 이번 기회에 퀄컴의 아몬 CEO에게 3나노 기술을 선보여 양사 간 협력관계를 다질 것으로 관측된다. 

삼성전자와 퀄컴은 다소 불편한 관계다. 퀄컴은 지난해 하반기 삼성 파운드리에 맡겼던 4나노 앱프로세서(AP)인 스냅드래곤 8세대 물량 중 일부를 TSMC로 옮긴 바 있다.

당시 업계에서는 삼성 파운드리의 낮은 수율(양산품 비율)이 계약 불발의 원인이라는 소문이 돌기도 했다. 이와 관련해 경계현 삼성전자 DS부분장이 올해 초 미국 출장 중 퀄컴 경영진을 만난 것으로 알려졌다.

삼성전자는 올해 상반기 중으로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 1세대 제품 양산에 돌입할 예정이다.

3나노 양산에서는 삼성전자가 반도체 파운드리 세계 1위인 TSMC보다 반년 정도 앞서 있는 것으로 알려져 있다. 현재 전세계에서 5나노 공정을 할 수 있는 곳은 TSMC와 삼성전자뿐이다.

업계 관계자는 “바이든 대통령이 방한 후 가장 먼저 평택 공장을 방문하는 것은 한·미가 굳건한 반도체 동맹이라는 것을 보여주기 위한 행보”라며 “삼성전자와 퀄컴 양사도 그간의 긴장감을 해소하고 협력관계를 공고히 할 수 있는 기회가 될 것”이라고 말했다.

한편, 바이든 대통령은 방한 이틀째인 21일 오후 서울 동작구 국립서울현충원을 방문해 현충탑에 헌화·분향한 후 용산 대통령실 청사로 이동, 윤 대통령과 첫 한미정상회담을 갖는다. 이후 한미 공동선언문을 발표한다. 

회담에서는 북핵 대응, 경제 안보, 역내 협력 등이 핵심 의제로 논의된다. 양국은 한미동맹을 '포괄적 전략동맹'으로 진전시키는 계기가 될 것으로 기대하고 있다. 

회담 뒤에는 용산 대통령실 청사 인근의 국립중앙박물관에서 윤 대통령이 주최하는 환영 만찬에 참석한다. 만찬에는 국내 10대 그룹 총수 등이 참석한다.  

바이든 대통령은 22일 오전 윤 대통령과 오산 공군기지를 방문해 한미 장병의 노고를 격려한 후 오후 일본으로 출국한다.