[포쓰저널=문기수 기자]  SK하이닉스의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출하고 삼성전자 자회사 세메스의 장비 도면을 빼돌린 협력사 부사장이 2심에서도 징역형 실형을 선고 받았다.

서울고법 형사7부(이재권 송미경 김슬기 부장판사)는 18일 산업기술의유출방지및보호에관한법률 위반·부정경쟁방지및영업비밀보호에관한법률 위반(영업비밀 국외누설 등) 등 혐의로 재판에 넘겨진 무진전자 부사장 신용식(60)씨에게 징역 1년 6개월을 선고했다.

1심의 징역 1년에서 형이 더 가중됐다.

다만 재판부는 신 씨를 법정구속하지는 않았다. 

1심에서 징역형의 집행유예를 선고받은 연구소장 등 다른 직원 3명도 징역 1년∼1년 6개월의 실형으로 형이 늘었다.

무진전자 법인은 1심의 벌금 4억원보다 많은 벌금 10억원을 선고받았다.

피고인들의 형이 늘어난 것은 SK하이닉스와 공동 개발한 기술 정보를 다른 업체에 알려준 혐의를 1심에 무죄로 본 반면 항소심은 유죄로 판단했기 때문이다.

1심은 재판부는 이 기술이 SK하이닉스와 협력사의 공동 소유물인 만큼 대외 발표만 금지된다고 판단했다.

2심은 "기술을 SK하이닉스의 경쟁업체 등 제3자에게 은밀하게 제공하려면 적어도 사전에 SK하이닉스의 동의를 얻었어야 했다"며 "비밀유지 대상인 산업기술에 해당하고, 이를 유출한 것은 범죄"라고 봤다.

재판부는 "피고인들의 범행은 피해 회사뿐 아니라 우리나라 산업 전반에 큰 영향을 미쳤다"며 "특히 부사장 신씨는 최종 결정권자로서 범행을 지휘하고 깊이 관여했다"고 지적했다.

신씨 등은 SK하이닉스와 협업하며 알게 된 HKMG(High-k Metal Gate) 반도체 제조 기술과 세정 레시피 등 반도체 관련 핵심기술과 첨단기술, 영업비밀을 2018년께부터 중국 반도체 경쟁업체인 '진세미'로 유출한 혐의를 받는다.

HKMG는 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. D램 반도체의 속도를 높이면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 신기술이다.

이들은 아울러 삼성전자와 삼성전자의 자회사인 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한  초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 세정장비 도면 등 반도체 첨단기술과 영업비밀을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 혐의도 있다.