[포쓰저널=문기수 기자] 삼성전자 간부 출신이 중국 반도체 업체에 국내 첨단 반도체 기술을 넘긴 혐의로 적발돼  구속 기로에 놓였다.

14일 법조계에 따르면 서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부(이춘 부장검사)는 2016년 중국 반도체기업 창신메모리(CXMT)에 삼성전자의 16나노미터(nm)급 D램 핵심 기술을 넘긴 혐의를 받는 김모 전 삼성전자 부장에 대해 구속영장을 청구했다.

김씨는 삼성전자를 퇴직한 뒤 창신메모리로 이직한 것으로 알려졌다.

창신메모리는 중국업체 중 고성능 D램을 생산할 수 있는 유일한 기업이다.

검찰은 김씨가 넘긴 기술 덕분에 창신메모리가 16나노 이상 D램을 양산할 수 있게 됐다고 의심하고 있다.

창신메모리는 지난달 중국 최초로 5세대 초저전력 D램을 개발했다고 발표한 바 있다.

반도쳬 업계에서는 김씨 등이 유출한 정보로 인한 중국의 기술력 업그레이를 감안할 경우 삼성전자가 향후 입을 손실은 수조원대에 달할 것으로 보고 있다. 

이번 사건 수사는 국가정보원이 5월 김씨 등의 기술 유출 정황을 포착해 검찰에 통보하면서 시작된 것으로 알려졌다. 

그러나 김씨와 방씨 등이 중국에 머물고 있어 수사에 진척이 없다가 10월 이들이 국내로 귀국하면서 수사가 급물살을 타게 됐다.

검찰은 김씨 외에도 기술유출에 관여한 삼성전자 관계사인 반도체 설비업체 전 직원 방모씨에 대해서도 구속영장을 청구했다.

삼성전자 하청업체 출신 등 인력 수십 명도 기술 유출에 가담한 것으로 보고, 추가 공범에 대한 수사를 진행중이다.

법원은 15일 김씨와 방씨에 대한 구속 전 피의자심문(영장실질심사)를 진행할 예정이다.