[포쓰저널=문기수 기자] HBM(고대역메모리) 개발을 주도한 공로를 인정 받아 강대원 상을 수상한 이강욱 SK하이닉스 (PKG개발 담당)부사장이 AI(인공지능) 메모리 경쟁에서 우위를 점하기 위해 HBM 패키징 기술 고도화와 칩렛 기반 이종 결합 기술 확보의 중요성을 강조했다. 

SK하이닉스는 이강욱 부사장이 14일 제 8회 강대원상 수상 기념 인터뷰에서 이같이 말했다고 밝혔다. 

이 부사장은  "AI 시스템의 대용량·고성능·에너지 효율화 요구를 충족하려면 HBM 패키징 기술의 지속적 혁신이 필요하다"며 "이를 위해 MR-MUF 기술 고도화, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술 개발에 역량을 쏟고 있다. 중장기적으로는 칩렛 기술로 2.5D, 3D SiP 등을 구현해 메모리 센트릭에 대응할 것이다"고 말했다.

이어 "이 과정에서 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징, 하이브리드 본딩 등으로 칩 간 연결성을 높여 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높이는 ‘첨단 패키징 기술’을 확보해 나가고자 한다"고 밝혔다. 

칩렛(Chiplet)이란 칩을 기능별로 쪼갠 후 각각의 칩 조각(Chiplet)을 하나의 기판 위에서 연결해 반도체의 이종 간 결합 및 집적을 돕는 기술이다.

이 부사장은 13일 강원도 정선에서 열린 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 제8회 강대원상(소자/공정 분야)을 수상했다.

모스펫, 플로팅게이트 개발 등 반도체 산업에 기념비적 발자취를 남긴 고(故) 강대원 박사의 업적을 기리고자 제정된 이 상은 그동안 반도체 전공정인 소자 및 공정 분야의 저명한 교수들에게 수여됐는데, 올해는 후공정인 ‘반도체 패키징 분야의 기업인’에게 최초로 수여돼 많은 관심을 받고 있다.

모스펫(MOSFET)은 Metal, Oxide, Semiconductor로 금속 산화막 반도체 구조를 통해 전기가 있는 영역인 전계(Field)의 효과(Effect)를 활용한 트랜지스터다. 플로팅게이트(Floating Gate)는 전원이 꺼져도 전자의 값을 보관할 수 있는 공간으로, 플래시 메모리에 적용된다.

이강욱 부사장은 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적 회로 분야에 대한 연구 개발을 27년 이상 이어 온 반도체 패키징 분야의 최고 기술 전문가다.

2000년 일본 도호쿠 대학에서 박사 학위를 받은 그는 미국 렌슬리어 공과대학 박사 후 연구원, 일본 도호쿠 대학 교수를 거쳐 2018년 SK하이닉스에 합류했다. 국내 최초로 TSV 기술 개발에 성공한 이 부사장은 SK하이닉스 입사 후 HBM2E(3세대)에 MR-MUF 기술을 적용하며 ‘AI 메모리 성공 신화’의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다.

그는 “TSV 기반 3차원 패키징 연구 성과들은 다양한 분야에서 상용화되고 있는데, 가장 대표적인 제품이 HBM"이라며 " SK하이닉스의 독자적 패키징 기술인 ‘MR-MUF’는 고난도의 HBM 제품을 높은 제조 수율과 양산성을 가지고 안정적으로 대량 생산할 수 있도록 해줬고, 핵심 특성인 열 방출 성능도 개선했다"고 했다.

또 "이 기술은 HBM2E에 처음 적용되어 SK하이닉스가 글로벌 AI 메모리 리더로 도약하는 데 기여했다"며 "지속적인 기술 고도화를 거쳐 HBM3 및 HBM3E에도 성공적으로 적용되면서, SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 굳건히 하는 데 큰 힘이 됐다"고 말했다. 

이 부사장이 강대원상 수상을 더욱 값지게 여기는 이유는 ‘최초의 패키징 분야 기업인 수상자’란 타이틀 때문이기도 하다.

이 부사장은 패키징 기술이 더 중요해질 것으로 내다봤다. 패키징 기술의 진화가 새로운 산업의 성장으로 이어지고 있고, 향후에는 패키징 역량이 기업 생존을 좌우하고 기업 가치를 결정하는 핵심 요소가 된다는 것이 그의 설명이다.

그는 “패키징 기술을 확보해 반도체 패권을 강화하려는 글로벌 업체 간 경쟁은 이미 시작됐다”며 “PKG개발은 탄탄한 기술력과 원팀 협업을 기반으로 패권 경쟁에 대응할 것”이라고 강조했다.

이 부사장은 소자, 공정, 설계, 패키징이 유기적으로 결합된 ‘토탈 반도체 솔루션’을 완성하고, 이를 회사의 핵심 경쟁력으로 성장시킨다는 전략이다.