[포쓰저널=문기수 기자] 고대역폭 메모리(HBM) 수요를 감당하기 위해 SK하이닉스가 올해에만 첨단 반도체 패키징 공정에 1조3000억원(10억 달러) 이상을 투자할 계획이다.

7일 SK하이닉스에 따르면 패키징 개발을 주도하는 이강욱 부사장은 이날 외신 블룸버그와의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다.

SK하이닉스는 올해 설비 투자 예산을 공개하지 않았지만, 업계 추정치는 14조원(105억 달러) 정도로 알려져 있다. 회사 전체 설비투자의 10% 가량을 패키징 공정 개선에 사용하는 셈이다.

SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 반도체의 전력 소비를 줄이고 성능을 높이며 HBM 시장에서의 선두 자리를 확고히 한다는 방침이다.

이 부사장은 "반도체 산업의 첫 50년은 칩 자체의 디자인과 제조에 관한 것이었지만 앞으로 50년은 후공정, 즉 패키징이 전부가 될 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 신규 투자의 대부분을 MR-MUF로 불리는 새 패키징 방식과 TSV 기술 발전에 쏟아붓고 있다.

MR-TUF는 실리콘층 사이에 액체 물질을 주입하고 굳히는 이 방식은 방열과 생산 수율 향상에 유리하다.

삼성전자는 지난달 26일 12개 층을 쌓는 D램 반도체와 업계 최대 용량인 36GB의 5세대 기술 HBM3E를 개발했다고 밝힌 바 있다.

또 같은 날 미국 마이크론은 엔비디아의 H200 텐서 코어 유닛에 포함될 24GB, 8단 HBM3E의 대량 생산을 시작했다고 밝히기도 했다.