[포쓰저널=신동혁 기자] 삼성전자가 기존 대비 메모리 용량을 4배 향상시킨 512GB CXL D램을 개발했다고 10일 밝혔다.

이번 제품은 PCIe 5.0을 지원하며, 대용량 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 사용되는 EDSFF(Enterprise & Data Center Standard Form Factor) 폼팩터가 적용돼 기존 컴퓨팅 시스템의 D램 용량을 획기적으로 확장할 수 있다.

주문형 반도체(ASIC) 기반의 컨트롤러를 탑재해 데이터 지연 시간도 기존 제품 대비 20% 줄였다.

최근 메타버스, 인공지능, 빅데이터 등 폭발적으로 증가하는 데이터 양에 비해 기존의 DDR 인터페이스는 시스템에 탑재할 수 있는 D램 용량에 한계가 있었다.

이번 고용량 CXL D램 개발로 메인 D램과 더불어 서버 한 대당 메모리 용량을 수십 테라바이트 이상으로 확장할 수 있게 됐다.

삼성전자는 이달 중 '스케일러블 메모리 개발 키트(SMDK)'의 업데이트 버전을 오픈소스로 추가 공개해, 개발자들이 다양한 응용 환경에서 CXL D램 기술을 활용하는 프로그램을 쉽게 개발할 수 있게 할 계획이다.

삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발하고 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 평가를 진행해 왔다.

CXL 컨소시엄 이사회에 참여해 글로벌 주요 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 차세대 인터페이스 기술 개발을 위한 협력을 확대해 가고 있다. 3분기부터 주요 고객과 파트너들에게 512GB CXL D램 샘플을 제공할 예정이다.

테라바이트급 이상의 차세대 메모리 인터페이스 제품을 지속 개발해 대용량 메모리가 요구되는 컴퓨팅 시장에 맞춰 적기에 상용화하는 것이 목표다.

삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀 박철민 상무는 "CXL D램은 인공지능, 빅데이터 등의 서비스를 혁신적으로 향상시키고, 향후 소프트웨어 정의 메모리를 포함한 차세대 메모리로 확장될 것"이라고 말했다.