삼성전자 전 임원-연구원 3명 구속기소
中 CXMT서 연봉 15억~30억원 받아
삼성전자, 작년 피해 5조원..향후 수십조원

중국 창신메모리(CXMT)가 홈페이지에 게시한 DDR5 D램 반도체 이미지.
중국 창신메모리(CXMT)가 홈페이지에 게시한 DDR5 D램 반도체 이미지.

 

[포쓰저널=강민혁 기자] 삼성전자 전직 임원과 연구원들이 중국으로 이직해 15억~30억원의 연봉을 받으면서 불법 유출한 국가핵심기술로 중국 최초의 18나노 D램 반도체를 개발한 혐의로 검거돼 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 1일 삼성전자 전직 임원 양모씨, 전직 연구원 신모씨와 권모씨 등 3명을 산업기술의유출방지및보호에관한법률 위반 및 부정경쟁방지및영업비밀보호에관한법률 위반 혐의로 구속기소 했다고 밝혔다.

검찰에 따르면 양씨 등은 삼성전자에서 중국 D램 반도체 회사 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지)로 이직한 뒤 CXMT의 '2기 개발팀' 핵심 인력으로 활동했다.

이들은 불법 유출한 삼성전자의 국가 핵심기술을 부정사용해  CXMT가 18나노 D램 제품을 개발할 수 있도록 도운 것으로 조사됐다.

CXMT는 2016년 중국 안후이성이 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사다.

불법유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술이다.

앞서 검찰은  CXMT의 '1기 개발팀'에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 구속기소 했다.

이후 개발 과정에 대한 추가 수사를 진행해 CXMT로 이직해 1기 개발실장을 맡은 김씨가 삼성전자 퇴직자 ㄱ씨로부터 D램 공정 국가 핵심기술 유출 자료를 부정 취득한 사실도 밝혀냈다.

CXMT 2기 개발팀의 개발실장으로서 전체 개발을 총괄한 양씨와 공정 개발을 총괄한 신씨, 실무 총괄을 맡은 권씨는 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 이를 통해 중국 최초이자 세계 4번째 18나노 D램 양산을 성공한 것으로 검찰 조사 결과 확인됐다.

이들은 1기 개발팀의 사업을 이어받아 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증했다. 이를 토대로 제조 테스트를 진행하는 등의 완성 작업도 수행했다.

신씨 등은 개발에 참여하는 대가로 CXMT로부터 4∼6년간 삼성전자 연봉의 3∼5배에 달하는 15억∼30억원의 높은 급여를 받았다.

이번 국가핵심기술 유출사건으로 발생한 삼성전자의 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정된다.

향후 피해 규모는 최소 수십조원까지 불어날 것으로 예상된다.

삼성전자에서 수백 단계의 공정 정보를 노트에 베껴 유출한 것으로 파악된  ㄱ씨는 현재 인터폴(국제형사경찰기구) 적색 수배 중이다.

검찰은 "앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응할 것"이라고 했다.

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