[포쓰저널=문기수 기자] SK하이닉스는 17일 서울 강남구 삼정호텔에서 개최된 ‘2025년 상반기 대한민국 엔지니어상 시상식’에서 미래기술연구원 DPERI조직 손윤익 팀장이 ‘대한민국 엔지니어상’을 수상했다고 18일 밝혔다.

과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 수여하는 엔지니어상은 산업 현장에서 탁월한 연구개발 성과를 이뤄낸 엔지니어에게 수여된다. 

그는 AI 시대를 이끌어가는 핵심 반도체인 HBM과 모바일용 저전력 D램인 LPDDR의 개발을 주도하며, 기술 한계에 지속적으로 도전해 온 공로를 인정받았다.

올해로 입사 19년 차를 맞은 손 팀장은 소자 엔지니어로서 다양한 D램 제품의 Peri 트랜지스터 개발을 위해 힘써왔다. 고성능·저전력·고신뢰성을 요구하는 까다로운 조건 속에서도 고객이 체감할 수 있는 수준의 성능 향상을 위한 기술 리더십을 발휘해 왔다.

Peri는 데이터를 저장하는 셀들을 서낵하고 컨트롤 하는 역할을 하는 주변부 회로영역이다. 

특히, LPDDR5 개발 과정에서는 D램에 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받기도 했다.

이 기술은 기존 대비 성능과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 공정으로, SK하이닉스 메모리 제품의 경쟁력을 획기적으로 끌어올리는 데 이바지했다.

손 팀장의 성과 중 가장 중요한  부분은 D램에 HKMG 공정을 성공적으로 적용한 일이다. 본래 HKMG 공정은 CPU나 AP와 같은 로직(Logic) 반도체에 적용됐던 공정으로 D램 제조에 적용하기에는 많은 제약이 있어, 그동안은 시도되지 않았다.

그러나, 손 팀장은 기술 혁신을 위해 과감히 도전했고, 결과적으로 제품의 성능과 전력 효율을 획기적으로 개선하는 데 성공했다.

그는 “D램에 HKMG를 도입한다는 것은 단순한 기술 확장이 아닌, 패러다임 전환이었다. 셀(Cell) 트랜지스터에 미치는 영향을 최소화하면서도 HKMG의 단점인 GIDL과 신뢰성 문제를 극복해야 했다. 새로운 시도를 두려워하지 않고 도전한 덕분에 결국 최고의 경쟁력을 확보할 수 있었다”고 말했다. 

GIDL은 게이트 전극에 인가된 전압이 드레인과 소스 영역에 예기치 않은 누설 전류(Leakage Current)를 유발하는 현상이다. 트랜지스터가 꺼진(off) 상태임에도 불구하고, 게이트 전압 때문에 드레인-소스 간에 전류가 흐르는 현상을 의미한다.

손 팀장이 이룬 또 다른 주목할 만한 성과는 그동안 꾸준히 연구·개발해 온 Peri 영역의 소자 기술들이다. 해당 기술들은 AI 메모리 반도체의 시장의 핵심 제품인 HBM의 성능 개선에도 크게 이바지하며, SK하이닉스 반도체 제품 전반에 걸친 혁신을 이뤄냈다.

그는 “최근 AI에 사용되는 고성능 D램은 초고속, 초저전력 특성이 필수인데, 이를 만족하기 위해선 Peri 영역의 성능이 중요한 역할을 한다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 메모리의 경우, 데이터가 다니는 입구와 출구 역할을 하는 Peri 영역의 성능이 뒷받침되지 않는다면, 결국 병목현상이 발생할 수밖에 없고, 제품 자체의 성능 향상도 기대할 수 없기 때문이다”고 설명했다.

손 팀장은 격변의 시기를 함께하는 SK하이닉스 구성원들에 향한 당부의 말도 빼놓지 않았다.

그는 “우리는 지금 AI 시대로 전환하는 중대한 시점에 있다. 기술은 결국 사람이 만드는 것이며, 구성원 개개인의 열정과 집중력, 협업이 가장 큰 경쟁력이다. 기술의깊이만큼, 동료와의 신뢰와 협업의 깊이도 중요하다"고 했다.