[포쓰저널=문기수 기자] SK하이닉스가 HBM3(High Bandwidth Memory) 제품군에서 가장 높은 용량을 가진 24GB 제품 개발에 성공했다.

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB를 구현한 HBM3 제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 

SK하이닉스는 상반기내에 양산 준비와 샘플 테스트를 마치고 하반기부터 본격적으로 시장에 제품을 공급할 계획이다.

SK하이닉스는 “당사는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3 16GB 제품을 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다”며 “최근 AI 챗봇(인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 밝혔다.

HBM은 여러개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높힌 고성능 D램이다. HBM3는 1세대 HBM, 2세대 HBM2, 3세대 HBM2E에 이은 4세대 제품이다.

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다.

어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다고 회사는 밝혔다.

MR-MUF란 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간사이에 굳히는 공정을 말한다. 기존 방식 대비 효율적이고, 열방출에도 효과적인 공정이라고 회사 측은 설명했다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩을 수직으로 연결하는 고급 패키징 기술이다. 이 기술이 적용된 SK하이닉스의 HBM3(HBM 4세대 제품)는 최대 819GB/s(초당 819기가바이트)의 속도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 자사가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI(인공지능)에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을 받고 있다고 설명했다. 

앞서 SK하이닉스는 지난해 6월부터 HBM3 16GB를 GPU(그래픽처리장치) 생산 회사인 엔비디아에 공급하고 있다.

SK하이닉스는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이며, 고객들 역시 이 제품에 대해 큰 기대감을 보이고 있는 것으로 알려졌다.

SK하이닉스 홍상후 부사장(P&T담당)은 “당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다”며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.