삼성전자 평택캠퍼스 항공사진./사진=삼성전자

[포쓰저널=문기수 기자] 삼성전자가 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인을 증설, 내년 하반기 7세대 V낸드 양산을 시작한다. 추가 투자규모는 8조원 안팎으로 알려졌다.

삼성전자는 AI(인공지능), IoT(사물인터넷) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 계획이다. 

삼성전자는 5월부터 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수해 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다.

2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

삼성전자는 국내에는 화성,평택 해외에는 중국시안에 낸드플래시 생산라인을 운영중이다. 최근에는 시안 생산라인 증설현장에 5월 한달간 2차례에 걸쳐 총 500명의 기술진을 급파하며 낸드플래시 생산을 위한 공사에 속도를 내고 있다. 

삼성전자는 2002년 이후 낸드플래시 세계 1위를 하고 있다. 지난달 26일 D램익스체인지에 따르면 삼성전자의 올해 1분기 낸드플래시 매출은 45억달러(약 5조5700억원)로 30%대 점유율을 차지하고 있다.

삼성전자의 뒤로는 키옥시아(옛 도시바메모리), WDC, 마이크론, SK하이닉스 등이 뒤따르고 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.

 

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